【題目】決定氣體體積的因素:①氣體分子的直徑、②氣體的物質的量多少、③氣體分子間的平均距離、④氣體分子的相對分子質量,則決定氣體體積的因素主要為( )
A. ①②B. ①③C. ②③D. ②④
科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】下列方程式正確的是
A. 用KIO3氧化酸性溶液中的KI: 5I-+IO3-+3H2O =3I2+6OH-
B. 用稀硝酸洗滌試管內壁的銀鏡: Ag+2H++NO3-=Ag++NO↑+H2O
C. 將過量SO2通入冷氨水中: SO2+NH3·H2O =HSO3-+NH4+
D. 向NH4HCO3溶液中加過量的NaOH溶液并加熱: NH4+ +OH-NH3↑+H2O
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素,其原子半徑隨原子數變化如圖所示已知W的一種核素的質量數為18,中子數為10,X和Ne原子的核外電子數相差1,Y的單質是一種常見的半導體材料,Z的非金屬性在同周期元素中最強下列說法正確的是( )
A. 對應簡單離子半徑:
B. 對應氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性
C. 化合物XZW既含離子鍵,又含共價鍵
D. Y的氧化物與Z和X的最高價氧化物對應的水化物均能反應
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】I.在容器為1L的容器中,通入一定量的N2O4,發(fā)生反應N2O4(g)2NO2(g),且溫度升高,混合氣體的顏色加深。100℃時,體系中各物質的濃度隨時間的變化如圖15所示。回答下列問題:
(1)100℃時,在0~60s時段,反應速率v(N2O4)為______mol/(L·s),反應的平衡常數K為_______。
(2)100℃時達到平衡后,改變反應溫度為T,c(N2O4)以0.0020mol/(L·s)平均速率降低,經10s又達到平衡.T_____100℃(填“大于”或“小于”),判斷理由是_________。
II.利用LiOH和鈷氧化物可制備鋰離子電池。正極材料LiOH可由電解法制備,鈷氧化物可通過處理鈷渣獲得。
(1)利用如圖16所示的裝置電解制備LiOH,兩電極區(qū)電解液分別為LiOH和LiCl溶液。B極區(qū)電解液為_____溶液(填化學式),陽極電極反應式為__________________。
(2)利用鈷渣[含Co(OH)3、Fe(OH)3等]制備鉆氧化物的藝流程如圖17:
Co(OH)3在酸溶并發(fā)生氧化還原反應時的離子方程式為______________________。在空氣中煅燒CoC2O4生成鈷的氧化物和CO2,測得充分煅燒后固體的質量為2.73g,CO2的體積為1.344L(標準狀況),則鈷氧化物的化學式為_____________。
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】硅是重要的半導體材料,構成了現代電子工業(yè)的基礎.請回答下列問題:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據的最高能層符號為 , 該能層具有的原子軌道數為、電子數為 .
(2)硅主要以硅酸鹽、等化合物的形式存在于地殼中.
(3)單質硅存在與金剛石結構類似的晶體,其中原子與原子之間以相結合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻個原子.
(4)單質硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應來制備.工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質中反應制得SiH4 , 該反應的化學方程式為 .
(5)碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關事實:
化學鍵 | C﹣C | C﹣H | C﹣O | Si﹣Si | Si﹣H | Si﹣O |
鍵能/(kJmol﹣1 | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數量上都遠不如烷烴多,原因是 .
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4 , 更易生成氧化物,原因是 .
(6)在硅酸鹽中,SiO4﹣4四面體(如圖1)通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網狀四大類結構型式.圖(2)為一種無限長單鏈結構的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為 , Si與O的原子數之比為 , 化學式為 .
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】某有機物的結構簡式為 ,該有機化合物屬于( )
①芳香烴 ②芳香族化合物 ③醇④羧酸 ⑤酯 ⑥醛 ⑦烴的衍生物⑧不飽和有機物⑨多官能團有機物.
A.②③④
B.①③⑤⑥
C.①③④⑤⑥⑦
D.②③④⑥⑦⑧⑨
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