(2011?興寧區(qū)模擬)在水平光滑的絕緣桌面內(nèi)建立如圖所示的直角坐標(biāo)系,將第Ⅰ、Ⅱ象限稱(chēng)為區(qū)域一,第Ⅲ、Ⅳ象限稱(chēng)為區(qū)域二,其中一個(gè)區(qū)域內(nèi)只有勻強(qiáng)電場(chǎng),另一個(gè)區(qū)域內(nèi)只有大小為2×10
-2T、方向垂直桌面的勻強(qiáng)磁場(chǎng).把一個(gè)荷質(zhì)比為
=2×10
8C/kg的正電荷從坐標(biāo)為(0,-l)的A點(diǎn)處由靜止釋放,電荷以一定的速度從坐標(biāo)為(1,0)的C點(diǎn)第一次經(jīng)x軸進(jìn)入?yún)^(qū)域一,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間,從坐標(biāo)原點(diǎn)O再次回到區(qū)域二.
(1)指出哪個(gè)區(qū)域是電場(chǎng)、哪個(gè)區(qū)域是磁場(chǎng)以及電場(chǎng)和磁場(chǎng)的方向.
(2)求電場(chǎng)強(qiáng)度的大小.
(3)求電荷第三次經(jīng)過(guò)x軸的位置.