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【題目】如圖中虛線為勻強電場中與場強方向垂直的等間距平行直線，兩粒子M、N質量相等，所帶電荷的絕對值也相等．現將M、N從虛線上的O點以相同速率射出，兩粒子在電場中運動的軌跡分別如圖中兩條實線所示．點a、b、c為實線與虛線的交點，已知O點電勢高于c點電勢．若不計重力，則(　　)

A. M帶負電荷，N帶正電荷

B. N在a點的速度與M在c點的速度大小相同

C. N在從O點運動至a點的過程中克服電場力做功

D. M在從O點運動至b點的過程中，電場力對它做的功等于零

【答案】BD

【解析】由題，等勢線在水平方向，O點電勢高于c點，根據電場線與等勢線垂直，而且由高電勢指向低電勢，可知電場方向豎直向下，根據粒子的軌跡可判斷出N粒子所受的電場力方向豎直向上，M粒子所受的電場力方向豎直向下，故知M粒子帶正電，N帶負電，故A錯誤．由動能定理可知，N在a點的速度與M在c點的速度大小相等，故B正確．N從O點運動至a點的過程中電場力與速度的夾角為銳角，電場力做正功．故C錯誤．O、c間電勢差不為零，由動能定理可知M從O點運動至c點的過程中，電場力對它做功不為零．故D錯誤．故選B.

練習冊系列答案
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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】關于渦流，下列說法中正確是（ ）

A．真空冶煉爐是利用渦流來熔化金屬的裝置

B．家用電磁爐鍋體中的渦流是由恒定磁場產生的

C．阻尼擺擺動時產生的渦流總是阻礙其運動

D．變壓器的鐵芯用相互絕緣的硅鋼片疊成能減小渦流

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】2017年12月11日零時40分，我國在西昌衛(wèi)星發(fā)射中心用長征三號乙運載火箭，成功將阿爾及利亞一號通信衛(wèi)星送入如圖所示的地球同步轉移軌道。該軌道的近地點為M，遠地點為N，忽略空氣阻力，則下列說話正確的是

A. 衛(wèi)星經過M點時的速度最小

B. 衛(wèi)星經過N點時的速度最小

C. 衛(wèi)星在M點的加速度最小

D. 衛(wèi)星在從M到N的過程中機械能減小

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，在點電荷Q產生的電場中，實線MN是一條方向未標出的電場線，虛線AB 是一個電子只在電場力作用下的運動軌跡。設電子在A、B兩點的加速度大小分別為aA、aB，電勢能分別為EpA、EpB。下列說法正確的是

A. 若aA< aB，則Q靠近M端且為負電荷

B. 若aA> aB，則Q靠近M端且為正電荷

C. EpA=EpB

D. EpA>EpB

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，真空中O點有一點電荷，在它產生的電場中有a、b兩點，a點的場強大小為Ea，方向與ab連線成60°角，b點的場強大小為Eb，方向與ab連線成30°角．關于a、b兩點場強Ea、Eb及電勢φa、φb的關系，正確的是 (　　)

A. Ea＝3Eb，φa>φb B. Ea＝3Eb，φa<φb

C. ，φa<φb D. ，φa<φb

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】用以下器材測量待測電阻RX的阻值

A．待測電阻RX：阻值約為200Ω

B．電源E：電動勢約為3.0V，內阻可忽略不計

C．電流表A1：量程為0～10mA，內電阻r1=20Ω；

D．電流表A2：量程為0～20mA，內電阻約為r2≈8Ω；

E．定值電阻R0：阻值R0=80Ω；

F．滑動變阻器R1：最大阻值為10Ω；

G．滑動變阻器R2：最大阻值為200Ω；

H．單刀單擲開關S，導線若干；

（1）為了測量電阻RX，現有甲、乙、丙三位同學設計了以下的實驗電路圖，你認為正確的是_________________；（填“甲”、“乙”或“丙”）

（2）滑動變阻器應該選______；在閉合開關前，滑動變阻器的滑片P應置于______端；（填“a”或“b”）

（3）若某次測量中電流表A1的示數為I1，電流表A2的示數為I2。則RX的表達式為：RX=_________

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，在xOy平面內，有一個圓形區(qū)域的直徑AB與x軸重合，圓心O'的坐標為（2a，0），其半徑為a，該區(qū)域內無磁場． 在ｙ軸和直線x＝3a之間的其他區(qū)域內存在垂直紙面向外的勻強磁場，磁感應強度大小為B．一質量為m、電荷量為q的帶正電的粒子從y軸上某點射入磁場．不計粒子重力．

（1）若粒子的初速度方向與ｙ軸正向夾角為60°，且粒子不經過圓形區(qū)域就能到達B點，求粒子的初速度大小v１；

（2）若粒子的初速度方向與ｙ軸正向夾角為60°，在磁場中運動的時間為Δt＝，且粒子也能到達B點，求粒子的初速度大小v２；

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】霍爾效應是電磁基本現象之一，近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展．如圖甲所示，在一矩形半導體薄片的E、F間通入電流I，同時外加與薄片垂直的磁場B，在C、D間出現電壓UCD，這種現象稱為霍爾效應，UCD稱為霍爾電壓，且滿足UCD＝k ，式中d為薄片的厚度，k為霍爾系數，某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數．

　

(1)若該半導體材料是空穴(可視為帶正電粒子)導電，電流與磁場方向如圖所示，該同學用電壓表測量UCD時，應將電壓表的“＋”接線柱與________(填“C”或“D”)端通過導線相連．

(2)已知薄片厚度d＝0.40 mm，該同學保持磁感應強度B＝0.10 T不變，改變電流I的大小，測量相應的UCD值，記錄數據，描點作圖，畫出UCD－I圖線，如圖乙所示，利用圖線求出該材料的霍爾系數為________×10－3V·m·A－1·T－1(保留2位有效數字)．

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】英國科學家法拉第最先嘗試用“線”描述磁場和電場，有利于形象理解不可直接觀察的電場和磁場的強弱分布。如圖所示為一對等量異種點電荷，電荷量分別為＋Q、－Q。實線為電場線，虛線圓的圓心O在兩電荷連線的中點，a、b、c、d為圓上的點，下列說法正確的是(　　)

A. a、b兩點的電場強度相同

B. b、c兩點的電場強度相同

C. c點的電勢高于d點的電勢

D. d點的電勢等于a點的電勢

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