1．第II卷共16小題，共中23―30題必做部分，31―38題為選做部分，考生必須從中選擇2個(gè)物理、1個(gè)化學(xué)和1個(gè)生物題作答。不按規(guī)定選做者，閱卷時(shí)將根據(jù)所選科目題號(hào)的先后順序只判前面的2個(gè)物理題、1個(gè)化學(xué)和1個(gè)生物題，其他作答的題目答案無(wú)效。

2．第II卷所有題目的答案考生須用黑色簽字筆、鋼筆或圓珠筆答在答題紙上，在試題卷上答題無(wú)效。

【必做部分】

23．（11分）為測(cè)量一個(gè)定值電阻的阻值，備用器材如下：

待測(cè)電阻R_x                                                    電流表A₁（量程100μA，內(nèi)阻約2kΩ）

電流表A₂（量程500μA，內(nèi)阻約300Ω）     電壓表V₁（量程15V，內(nèi)阻約150kΩ）

電壓表V₂（量程50V，內(nèi)阻約500kΩ）         電源E（電動(dòng)勢(shì)5V）

滑動(dòng)變阻器R（最大阻值1kΩ）                     多用電表、開(kāi)關(guān)S、導(dǎo)線若干

   （1）先用多用電表歐姆擋對(duì)R_x進(jìn)行粗測(cè)。若選擇×100Ω擋用正確的測(cè)理方法進(jìn)行測(cè)量，發(fā)現(xiàn)指針幾乎不偏轉(zhuǎn)，為較準(zhǔn)確測(cè)量應(yīng)選用    擋（×10，×1k）。重新選擋測(cè)量，刻度盤(pán)上的指針位置如釁所示，測(cè)量結(jié)果是      Ω。

   （2）現(xiàn)用伏安法測(cè)量R_x阻值。為了盡量減小實(shí)驗(yàn)誤差，要求測(cè)多組數(shù)據(jù)。

        ①電流表應(yīng)選                ，電壓表應(yīng)選                  。

②畫(huà)出實(shí)驗(yàn)電路圖。

③根據(jù)實(shí)驗(yàn)中測(cè)得的多組數(shù)據(jù)作出的U―I圖線如圖所示，根據(jù)圖線求得待測(cè)電阻的阻值為       Ω。

24．（16分）如圖所示，質(zhì)量為m的滑塊，放在光滑的水平平臺(tái)上，平臺(tái)右端B與水平傳送帶相接，傳送帶的運(yùn)行速度為v₀，長(zhǎng)為L(zhǎng)，今將滑塊緩慢向左壓縮固定在平臺(tái)上的輕彈簧，到達(dá)某處時(shí)突然釋放，當(dāng)滑塊滑到傳送帶右端C時(shí)，恰好與傳送帶速度相同�；瑝K與傳送帶間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ。

   （1）試分析滑塊在傳送帶上的運(yùn)動(dòng)情況。

   （2）若滑塊離開(kāi)彈簧時(shí)的速度大于傳送帶的速度，求釋放滑塊時(shí)，彈簧具有的彈性勢(shì)能。

   （3）若滑塊離開(kāi)彈簧時(shí)的速度大于傳送帶的速度，求滑塊在傳送帶上滑行的整個(gè)過(guò)程中產(chǎn)生的熱量。

25．（18分）如圖甲所示，在直角坐標(biāo)系y軸右側(cè)虛線區(qū)域內(nèi)，分布著場(chǎng)強(qiáng)的勻強(qiáng)電場(chǎng)，方向豎直向上；在y軸左側(cè)虛線區(qū)域內(nèi)，分布著、方向垂直紙面且隨時(shí)間作周期性變化的磁場(chǎng)，如圖乙所示（以垂直紙面向外為正）。虛線所在位置的橫坐標(biāo)在圖中已標(biāo)出。T=0時(shí)刻，一質(zhì)量m=1.6×10^―27kg，電荷量的帶電粒子（不計(jì)重力），從點(diǎn)處以的速度平行于x軸向右射入磁場(chǎng)。（磁場(chǎng)改變方向的瞬間，粒子速度不變）

   （1）求磁場(chǎng)方向第一次改變時(shí)，粒子所處位置的坐標(biāo)。

   （2）在圖甲中畫(huà)出粒子從射入磁場(chǎng)到射出電場(chǎng)過(guò)程中運(yùn)動(dòng)的軌跡。

   （3）求粒子射出電場(chǎng)時(shí)的動(dòng)能。

【選做部分】

共8個(gè)題，考生從中選擇2個(gè)物理、1個(gè)化學(xué)題和1個(gè)生物題作答。

36．（8分）[物理3―3]

        如圖所示，一圓柱形絕熱氣缸豎直放置，通過(guò)絕熱活塞封閉著一定質(zhì)量的理想氣體�；钊�的質(zhì)量為m，橫截面積為S，與容器底部相距h。現(xiàn)通過(guò)電熱絲緩慢加熱氣體，當(dāng)氣體吸收熱量Q時(shí)，活塞上升上h，此時(shí)氣體的溫為T(mén)₁。已知大氣壓強(qiáng)為p₀，重力加速度為g，不計(jì)活塞與氣缸的摩擦，求：

   （1）氣體的壓強(qiáng)。

   （2）加熱過(guò)程中氣體的內(nèi)能增加量。

   （3）現(xiàn)停止對(duì)氣體加熱，同時(shí)在活塞上緩慢添加砂粒，當(dāng)添加砂粒的質(zhì)量為m₀時(shí)，活塞恰好回到原來(lái)的位置，求此時(shí)氣體的溫度。

37．（8分）[物理3―4]

        如圖所示，一束截面為圓形半徑為R的平行單色光，垂直射向一玻璃半球的平面，經(jīng)折射后在屏幕S上形成一個(gè)圓形亮區(qū)，已知玻璃半球的半徑為R，屏幕S到球心的距離為d（d>3R），不考慮光的干涉和衍射，玻璃對(duì)該光的折射率為n，求屏幕上被照亮區(qū)域的半徑。

38．（8分）[物理3―5]

   （1）美國(guó)科研人員正在研制一種新型鎳銅長(zhǎng)效電池，它是采用銅和半衰期為100年的放射性同位素鎳63(Ni)兩種金屬作為長(zhǎng)壽命電池的材料，利用鎳63(Ni)發(fā)生一次β衰變成銅（Cu），同時(shí)釋放電子給銅片，把鎳63(Ni)和銅片做電池兩極，鎳63(Ni)的衰變方程為              ，16g鎳63經(jīng)過(guò)400年還有    g尚未衰變。

   （2）一靜止的質(zhì)量為M的鎳核63(Ni)發(fā)生β衰變，放出一個(gè)速度為v₀，質(zhì)量為m的β粒子和一個(gè)反沖銅核，若鎳核發(fā)生衰變時(shí)釋放的能量全部轉(zhuǎn)化為β粒子和銅核的動(dòng)能。求此衰變過(guò)程中的質(zhì)量虧損（虧損的質(zhì)量在與粒子質(zhì)量相比可忽略不計(jì)）。