Question

【題目】根據題給要求填空

(1)某元素的基態(tài)原子最外層電子排布式為3s23p2，它的次外層上電子云形狀有________種，原子中所有電子占有________個軌道，核外共有________種運動狀態(tài)不同的電子。

(2)E原子核外占有9個軌道，且具有1個未成對電子，E離子結構示意圖是_______。

(3)F、G都是短周期元素，F2－與G3＋的電子層結構相同，則G元素的原子序數(shù)是________，F2－的電子排布式是______。

(4)M能層上有________個能級，有________個軌道，作為內層最多可容納________個電子，作為最外層時，最多可含有________個未成對電子。

Answer 1

【答案】2 8 14 13 1s22s22p6 3 9 18 3

【解析】

(1)某元素的基態(tài)原子最外層電子排布為3s23p2，該元素為Si，核外電子排布式為1s22s22p63s23p2，次外層能級為2s、2p，有s、p兩種不同的軌道，電子云形狀有2種。原子中所有電子占有8個軌道，分別為1s、2s、3s共3個軌道，3個2p軌道，2個3p軌道；原子核外有14個電子，每個電子的運動狀態(tài)都不一樣，因此有14種不同的運動狀態(tài)；

(2)E原子核外占有9個軌道，且具有1個未成對電子，則其核外電子排布圖為，從圖可知，該原子為Cl原子，得到1個電子，形成Cl－，其結構示意圖為；

(3)F、G都是短周期元素，F2－與G3＋的電子層結構相同，F為短周期元素，能夠形成離子F2－，只能是O2－或S2－，但是G也是短周期元素，G3＋的電子層結構與F2－相同，如果F是S元素，則G不是短周期元素，因此F為O，G為Al；G為Al，其原子序數(shù)為13；F2－是O2－，其電子排布式1s22s22p6；

(4)M能層上3個能級，分別為3s、3p、3d；3s有1個軌道，3p有3個軌道，3d有5個軌道，共9個軌道；每個軌道可以容納2個電子，作為內層最多可容納9×2=18個電子；作為最外層時，只有3s、3p能級上填充電子，未成對電子最多，則3個3p軌道上均只有1個電子，最多可含有3個未成對電子。